行業(yè)新聞
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行業(yè) | 亞利桑那州立大學(xué)在單晶AlN上實現(xiàn)橫向肖特基二極管性能突破
在AlN）單晶襯底上制備了具有頂部漸變AlGaN接觸層的橫向AlN肖特基勢壘二極管（AlN基SBD）。其歐姆接觸表現(xiàn)出近乎線性的電學(xué)特性，接觸電阻率低至1.54 × 10?3 Ω·cm2。該器件展現(xiàn)出...
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行業(yè) | 美國桑迪亞國家實驗室在AlN基AlGaN射頻與橫向功率晶體管領(lǐng)域取得突破性進展
超寬禁帶（UWBG）AlGaN合金（Al組分 xAl > 0.50）因其固有的高臨界電場強度，以及由此產(chǎn)生的、優(yōu)于當前GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)的約翰遜優(yōu)值（∝ Ecrit * vsa...
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行業(yè) | 全球射頻巨頭Qorvo與Soctera合作推出工業(yè)化生產(chǎn)的AlN/GaN/AlN HEMT晶體管
美國Soctera公司與射頻巨頭Qorvo公司的研究人員展示了一種在射頻代工工廠中制造的高電子遷移率晶體管（HEMT），其氮化鎵（GaN）溝道層夾在超寬帶隙氮化鋁（AlN）頂部和背部勢壘/緩沖層之間。
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行業(yè) | 康奈爾大學(xué)基于單晶襯底實現(xiàn)高鋁組分n型AlGaN創(chuàng)紀錄低阻非合金歐姆接觸
譯自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文鏈接htt...
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行業(yè) | 日本NTT成功開發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管
日本NTT成功開發(fā)全球首款用于后5G通信的AlN基高頻晶體管 – 拓展氮化鋁應(yīng)用領(lǐng)域：從功率轉(zhuǎn)換到無線通信
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行業(yè) | 脈沖MOCVD有望提升AlN基功率器件性能
氮化鋁（AlN）作為電力電子材料具有巨大潛力，其關(guān)鍵指標——巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit）超過所有其他超寬禁帶半導(dǎo)體。然而，器件性能受限于與摻雜相關(guān)的困難，包括高電離能以及...
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行業(yè) | 康奈爾大學(xué)：氮化鋁晶體管推動射頻電子器件向下一代演進
康奈爾大學(xué)的研究人員開發(fā)出一種新型晶體管架構(gòu)，該技術(shù)有望重塑高功率無線電子產(chǎn)品的設(shè)計范式，同時能緩解關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的供應(yīng)鏈風(fēng)險。這種名為XHEMT的器件在氮化鋁體單晶襯底上生長了超薄氮化鎵層。氮化鋁作...
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行業(yè) | 瑞典林雪平大學(xué)等在AlN單晶襯底上制備出創(chuàng)紀錄遷移率、薄溝道AlGaN/GaN/AlN雙異質(zhì)結(jié)HEMT器件
本研究開發(fā)了一種可控碳摻雜的兩步生長工藝，利用熱壁金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，成功在AlN單晶襯底上實現(xiàn)了150 nm和50 nm厚GaN溝道層的完全融合生長。所制備的HEMT器件展現(xiàn)出國...
閱讀全文.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行業(yè) | 寧波材料所等在GaN/AlN高質(zhì)量異質(zhì)外延及其AlN背勢壘HEMT器件領(lǐng)域取得進展")
行業(yè) | 寧波材料所等在GaN/AlN高質(zhì)量異質(zhì)外延及其AlN背勢壘HEMT器件領(lǐng)域取得進展
AlN背勢壘高電子遷移率晶體管（HEMTs）通過在AlN背勢壘上生長超薄GaN溝道層，在高壓、高頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大潛力。然而，由于GaN與AlN之間存在晶格失配和熱失配，需對薄GaN溝道層的生長模式進...
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行業(yè) | 北卡羅納州立大學(xué)基于AlN單晶襯底實現(xiàn)擊穿場強達12.3 MV/cm、理想因子低至1.1的創(chuàng)紀錄性能AlN SBD器件
本研究通過在硅摻雜氮化鋁（Si:AlN）中引入點缺陷和擴展缺陷調(diào)控機制，有效抑制了載流子補償效應(yīng)，成功實現(xiàn)了300 cm2/(V·s)的高電子遷移率和26 Ω·cm的低電阻率。基于此摻雜技術(shù)，我們設(shè)計...
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