公司新聞
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行業 | UCSB等聯合團隊采用組分漸變實現創紀錄低歐姆接觸電阻AlGaN場效應晶體管
為實現適用于高頻、高功率場景的超寬禁帶AlGaN晶體管,必須盡可能降低高遷移率導電溝道的接入電阻,以滿足高頻工作需求。AlGaN材料相對較低的電子親和能對其歐姆接觸的形成構成嚴峻挑戰。本研究報道了在極...
閱讀全文動態 | 奧趨光電榮獲Semiconductor Review“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商”獎
近日,國際知名行業媒體Semiconductor Review 公布了“2026年亞洲最佳氮化鋁單晶襯底制造商(Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
閱讀全文動態 | 奧趨光電亮相第二屆第四代半導體研討會
2026年3月18-19日,由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會在浙江杭州成功舉辦。奧趨光電技術(杭州)...
閱讀全文邀請 | 奧趨光電與您相約第二屆第四代半導體研討會
2026年3月18-19日,由浙江大學杭州國際科創中心、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、國家第三代半導體技術創新中心和半導體在線主辦的第二屆第四代半導體研討會將在浙江杭州舉行。奧趨光電技術(杭州)有...
閱讀全文動態 | 區委書記周徐胤一行蒞臨奧趨光電指導調研
2月4日,臨平區委書記周徐胤同志來訪奧趨光電,開展指導調研和服務工作,區委辦、臨平經開區相關負責人等陪同。奧趨光電首席執行官吳亮、綜合管理部總經理陳鵬等進行了熱情接待。
閱讀全文動態 | 奧趨光電亮相第40屆NEPCON JAPAN,全球同步推行AlN單晶襯底普惠價
2026年1月21-23日,第40屆NEPCON JAPAN電子科技博覽會在日本東京有明國際展覽中心隆重舉行。作為全球極少數幾家具備高質量、大尺寸氮化鋁單晶襯底全套制程和批量制造能力的領先技術企業之一...
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