日前，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司正式通過認定，獲評國家高新技術(shù)企業(yè)。證書已于近日下達。

高新技術(shù)企業(yè)的認定，標(biāo)志著奧趨光電在國家創(chuàng)新戰(zhàn)略指引下，以硬核科技引領(lǐng)第四代半導(dǎo)體氮化鋁材料自主化、產(chǎn)業(yè)化的實踐，獲得了國家級創(chuàng)新體系的認可。

奧趨光電多年根植于第四代半導(dǎo)體氮化鋁單晶研發(fā)與制造，經(jīng)過不懈的研發(fā)投入與產(chǎn)業(yè)化實踐，突破國外對中國10多年的禁運，實現(xiàn)了2英寸氮化鋁單晶晶圓的小批量量產(chǎn)，使中國成為繼美國之后第二個具備2英寸氮化鋁晶圓制備能力的國家，并與美國同期開發(fā)出3英寸晶圓，解決了我國在6G射頻/功率芯片、國防軍工等重點領(lǐng)域氮化鋁材料受限的“卡脖子”難題，提升了關(guān)鍵戰(zhàn)略材料的自主保障能力和國際競爭力。奧趨光電是國內(nèi)唯一可商業(yè)化制造氮化鋁單晶晶圓的企業(yè)，服務(wù)全球客戶160余家，申請/授權(quán)相關(guān)專利60余項，牽頭/參與多項國家、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定，于2023年榮獲吉林省技術(shù)發(fā)明一等獎，并獲國家重點研發(fā)計劃重大專項、工信部氮化鋁XXX項目和浙江省重點研發(fā)計劃等項目支持。隨著公司納入高新技術(shù)企業(yè)管理體系，奧趨光電將通過高效的研發(fā)機制、持續(xù)的研發(fā)投入和大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化技術(shù)突破，保障第四代半導(dǎo)體氮化鋁關(guān)鍵材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用需求，為國家科技自強、技術(shù)自立提供核心材料支撐，夯實中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的安全基座。

關(guān)于奧趨光電

奧趨光電是由海歸博士團隊、半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專家領(lǐng)銜的高技術(shù)、創(chuàng)新型企業(yè)，總部位于浙江省杭州市。奧趨光電核心專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁晶圓襯底材料、藍寶石基/硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷售，核心產(chǎn)品被列入《中國制造2025》關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料與裝備目錄，是制備5.5G/6G基站射頻HEMT器件、相控陣雷達T/R芯片、紫外光電探測器/傳感器等各類高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子器件、紫外發(fā)光及激光器件的理想襯底材料。

奧趨光電經(jīng)過多年的高強度研發(fā)投入，于2019年成功開發(fā)出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，并于2022年開發(fā)出直徑達76mm的鋁極性氮化鋁單晶及3英寸晶圓樣片，奧趨光電同時也是全球首家藍寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供2英寸及以下尺寸高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設(shè)備等產(chǎn)品，同時向客戶及合作伙伴提供從設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、熱場模擬仿真技術(shù)開發(fā)、咨詢及生長工藝優(yōu)化到晶圓制程等全環(huán)節(jié)的完整工藝解決方案與專業(yè)技術(shù)服務(wù)。截止2025年12月，共申請/授權(quán)國際、國內(nèi)專利60余項，是全球范圍內(nèi)本領(lǐng)域?qū)＠麛?shù)量最多的企業(yè)之一，被公認為本領(lǐng)域全球技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。