——2英寸AlN襯底P級(jí)標(biāo)準(zhǔn)片僅需25,000元/片，同等投入實(shí)現(xiàn)雙倍研發(fā)效能，加速超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化

自2025年成功發(fā)布2-4英寸氮化鋁（AlN）單晶襯底全流程高良率工藝解決方案以來，奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司實(shí)現(xiàn)AlN單晶襯底制造良率跨越式提升，并已形成批量穩(wěn)定供貨能力。2026年2月1日起，奧趨光電宣布將在全球執(zhí)行全新的銷售價(jià)格體系，AlN單晶襯底系列產(chǎn)品價(jià)格全面下調(diào)，幅度最高超60%，旨在以普惠定價(jià)重構(gòu)行業(yè)成本格局！其中各規(guī)格AlN單晶襯底P級(jí)產(chǎn)品調(diào)價(jià)如下（奧趨光電官網(wǎng)已同步更新）:

• 2英寸：57,000元/片 → 25,000元/片（降價(jià)幅度56%）；

• 1英寸：28,000元/片 → 12,500元/片（降價(jià)幅度55%）；

• 10×10mm： 13,000元/片 → 5,000元/片（降價(jià)幅度62%）；

同等經(jīng)費(fèi)投入，斬獲雙倍材料供給，量大更有驚喜！此次定價(jià)調(diào)整不僅將大幅降低產(chǎn)學(xué)研各界的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化成本，更將加速 AlN 先進(jìn)材料在6G 射頻、超高功率電子及深紫外光電器件等關(guān)鍵領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)化落地。奧趨光電將不斷實(shí)施產(chǎn)能擴(kuò)充，推動(dòng)我國超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展，為全球 AlN 材料生態(tài)注入強(qiáng)勁中國動(dòng)力。

奧趨光電新一代高良率批量制備產(chǎn)品

奧趨光電 AlN 單晶襯底全系列產(chǎn)品最新定價(jià)詳情如下

AlN 作為國際公認(rèn)的新一代戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料，有著其它寬禁帶半導(dǎo)體材料所無法比擬的優(yōu)勢(shì)與效率（如下圖），是6G射頻、超高功率電子及深紫外光電等器件的理想材料。AlN憑借如下六大核心優(yōu)勢(shì)領(lǐng)跑超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域：

• 超寬禁帶（6.2 eV）：目前已知半導(dǎo)體材料中最大禁帶寬度；

• 超高擊穿場(chǎng)強(qiáng)（15.4 MV/cm）：耐受極端電場(chǎng)，支撐高壓器件小型化；

• 高熱導(dǎo)率（340 W/m?K）：高效散熱，保障器件長期穩(wěn)定運(yùn)行；

• 高本征電阻率（>10¹³ Ω?cm）：優(yōu)異絕緣性能，降低漏電流；

• 極端環(huán)境穩(wěn)定性：耐溫超 1000℃、抗輻射、化學(xué)惰性強(qiáng)；

• 卓越晶格匹配：與 GaN/AlGaN 失配率 < 2.5%，適配高性能器件外延需求。

不同材料高頻、高功率晶體管JFOM品質(zhì)因子對(duì)比圖 (normalized to GaN).

(source:https://group.ntt/en/newsrelease/2025/12/09/251209a.html)

產(chǎn)品采銷渠道

意向購買各規(guī)格AlN單晶襯底材料的用戶和行業(yè)伙伴，歡迎通過以下渠道了解詳情、洽談合作、下單采購。

1. 通過奧趨光電銷售熱線：0571-88662006、18069846900（陳先生）洽談采購；

2. 或登錄奧趨光電官網(wǎng)：www.kxh2.cn，線上了解產(chǎn)品詳情及最新定價(jià)，在線下單采購；

3. 或掃描下方小程序碼，進(jìn)入奧趨光電微商城，移動(dòng)端下單采購。

奧趨光電氮化鋁單晶襯底系列產(chǎn)品定價(jià)及購買渠道

關(guān)于奧趨光電

奧趨光電是由海歸博士團(tuán)隊(duì)、半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)專家領(lǐng)銜的高技術(shù)、創(chuàng)新型企業(yè)，總部位于浙江省杭州市。公司核心專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體氮化鋁晶圓襯底材料、藍(lán)寶石基/硅基氮化鋁/氮化鋁鈧薄膜模板、全自動(dòng)氮化鋁PVT氣相沉積爐及其相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、制造與銷售，核心產(chǎn)品被列入《中國制造2025》關(guān)鍵戰(zhàn)略新材料與裝備目錄，是制備5.5G/6G基站射頻HEMT器件、相控陣?yán)走_(dá)T/R芯片、紫外光電探測(cè)器/傳感器等各類高溫/高頻射頻器件、高頻/高功率電子器件、紫外發(fā)光及激光器件的理想襯底材料。

奧趨光電經(jīng)過多年的高強(qiáng)度研發(fā)投入，于2019年成功開發(fā)出全球最大，直徑60mm的氮化鋁單晶及晶圓，并于2022年開發(fā)出直徑達(dá)76mm的鋁極性氮化鋁單晶及3英寸晶圓樣片，奧趨光電同時(shí)也是全球首家藍(lán)寶石基氮化鋁薄膜模板大批量制造商。目前可向客戶提供2英寸及以下尺寸高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底、2/4/6英寸藍(lán)寶石基/硅基/碳化硅基氮化鋁、氮化鋁鈧薄膜模板、氮化鋁單晶氣相沉積爐及熱處理設(shè)備等產(chǎn)品，同時(shí)向客戶及合作伙伴提供從設(shè)備設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)模擬仿真技術(shù)開發(fā)、咨詢及生長工藝優(yōu)化到晶圓制程等全環(huán)節(jié)的完整工藝解決方案與專業(yè)技術(shù)服務(wù)。截止2025年12月，共申請(qǐng)/授權(quán)國際、國內(nèi)專利60余項(xiàng)，是全球范圍內(nèi)本領(lǐng)域?qū)＠麛?shù)量最多的企業(yè)之一，被公認(rèn)為本領(lǐng)域全球技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。