世界各國為生長大尺寸氮化鋁單晶，近50年來在晶體生長方法、生長工藝等方面作出了長期不懈努力，但研發進展非常緩慢。其中，物理氣相沉積法被公認為生長塊狀氮化鋁單晶的唯一方法，該方法也是生長大尺寸塊狀碳化硅單晶理想方法。盡管氮化鋁單晶和碳化硅單晶生長的基礎研究同時起步于20世紀70年代，而碳化硅單晶生長工藝進展迅速，目前國際上已成功研發并計劃量產直徑8英寸（200mm）碳化硅晶圓，但當前國際上有能力生長出直徑1英寸（25.4mm）氮化鋁單晶的科研機構及企業極其有限。由于氮化鋁單晶生長溫度高、生長條件非常苛刻，對氮化鋁單晶生長的設備、熱場及其控制系統提出了前所未有的挑戰。因此，國務院、國家工信部將氮化鋁單晶生長裝備列入《中國制造2025》綠皮書有待突破的關鍵國產化裝備......
應諾貝爾物理獎獲得者天野浩教授為會議主席的組委會邀請，奧趨光電技術( 杭州) 有限公司在日本橫濱4月23-25 日舉行的LED 工業應用國際會議( LEDIA-2019) 上，推出了直徑60 mm 氮化鋁單晶及晶圓，該晶圓為迄今為止國內外見諸報道的最大尺寸氮化鋁晶圓。檢測結果表明，晶片的拉曼半高寬僅為2.85cm-1，深紫外260-280 nm 波段下的吸收系數低至14-21 cm-1，關鍵性能指標居全球領先水平。相關成果發表在權威學術期刊《Physica Status Solidi A》上，并作為該期刊封面進行了特別展示。該成果標志著中國在第三/四代半導體關鍵戰略新材料氮化鋁單晶領域取得突破性進展，在此之前，美國在全球氮化鋁單晶及晶圓制造方面直徑最大可達2英寸（50.8 mm），長期處于技術壟斷地位......
傳統硅基等半導體材料已經無法滿足當前電子器件的發展要求。氮化鋁作為第三代/第四代半導體材料的典型代表，具有超寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高電子遷移率、耐腐蝕、耐輻射等優越物理化學性能，特別適合于制造射頻通信器件、光電子器件、電力電子器件等，是紫外LED、紫外探測器、紫外激光、高功率/高頻電子器件等最佳襯底材料，廣泛應用于環保、電子、無線通訊、印刷、生物、醫療、軍事等領域，如紫外凈化/滅菌（污水處理、飲用水消毒、空氣殺菌、表面殺菌、除臭等）、紫外固化、紫外催化、5G無線通信 SAW/BAW等器件、防偽檢測、高密度存儲、醫學光照治療、藥物研發及保密通信、紫外空間探測等領域......
通常，PVT法生長氮化鋁單晶生長溫度高達2000ºC - 2300ºC，且晶體生長在密閉環境下進行，單晶生長周期長、對溫度場的穩定性及其控制系統精度提出了前所未有的挑戰。由于氮化鋁單晶生長溫度高、生長條件非常苛刻，通過實際實驗來調整工藝參數獲取有限的實驗數據極其困難且成本高昂，或具備不具備可行性。因此，利用數值模擬仿真手段，開展AlN晶體生長過程的仿真研究已成為分析、優化晶體生長過程不可或缺的工具......