物理氣相沉積法生長AlN單晶模擬仿真技術開發
通常，PVT法生長氮化鋁單晶生長溫度高達2000ºC - 2300ºC，且晶體生長在密閉環境下進行，單晶生長周期長、對溫度場的穩定性及其控制系統精度提出了前所未有的挑戰。由于氮化鋁單晶生長溫度高、生長條件非常苛刻，通過實際實驗來調整工藝參數獲取有限的實驗數據極其困難且成本高昂，或具備不具備可行性。因此，利用數值模擬仿真手段，開展AlN晶體生長過程的仿真研究已成為分析、優化晶體生長過程不可或缺的工具。
由于目前全球無成熟、商業化的氮化鋁PVT單晶生長模擬仿真軟件，因此，奧趨光電組織研發團隊并投入大量研發資金及研發人員，自主開發了先進的氮化鋁PVT單晶生長工藝過程的有限元多項流傳質模塊、雜質分布預測模塊、三維各向異性應力等缺陷計算分析等一系列模擬仿真計算模塊，成為公司設備研發、熱場設計及工藝研發利器，極大的縮短了產品研發周期、提升了內部研發效率及新產品面市周期。
